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成都某半导体芯片厂制造环节中同时制造高硅废气(SiO₂ 500-800mg/L)和含氟废气(F⁻ 200-300mg/L)。两类废气相溶后容易达成氟硅酸固体,专统化学发展法未能动态平衡达到基准。品牌必须同时进行避开硅和氟(排卸基准:SiO₂≤30mg/L,F⁻≤10mg/L)。
废水处理方法化学物质及起源
一般因素
:硅酸氢钠(NaHSiO₃)、氟化铵(NH₄F)、异丙醇
渠道
:晶圆刻蚀废渣、CMP研磨产品废渣、产品清洗阴道水
操作的工艺工作流程
分工协作发展时间段
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两极症状池
:
一号级污泥脱水Ca(OH)₂转化成CaF₂和CaSiO₃沉淀出的;
其二级污泥脱水PAC(聚合反应氯化铝)淬炼水解酸化池。
固液溶合的阶段
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超滤膜控制系统
:用0.02μm粒径膜插件虚报冒领电解质溶液硅和微细悠长岁月中物。
深层脱氟分阶段
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亲水性硫化铝树脂吸附塔
:残存氟亚铁离子吸洗去。
最中实际效果
水流SiO₂≤25mg/L,F⁻≤8mg/L,远远高于我国标准的。
反渗透装置装置通量安全稳定在15LMH,物理化学的洗涤周期时间调长至60天。
污泥处理经压滤后水分含量率<65%,可按普遍固体废物处理应急处置。