伤害某半导体材料操作芯片制作业厂，晶圆生产加工的过程 中所产生含硅、氟的唯一性生产焦化废水，设计制作操作的规模1200吨/日。生产焦化废水因素比较复杂，包含的nm级硅科粒及氢氧化钠，传统化操作的方法无从达到。 焦化废水物质及特征 主要是破坏物 ：悬浊液硅（100-500nm粒度分布）、氟铝离子（200-300mg/L）、异丙醇 主要来源工艺技术 ：晶圆刻蚀化工废水处理工艺（45%）、CMP化学反应设配抛光剂化工废水处理工艺（40%）、设配冲干净水（15%） 正确处理工艺步骤流程步骤流程 改革创新用"普通机械石雕文化沉淀+特总膜分离出来"系统风格： 钙盐发展 ：加药系统氯化钙剔除氟铝离子（出现CaF2凝固） 水解酸化池现象 ：软型二沉池剂实现了氢氧化铁硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm外径膜公款私存微细粒状 ro反渗透性体系 ：脱盐率>98%，回收并率75% 蒸发器晶体 ：浓水段做到氟化物零排出 然后成果 氟化物氧化还原电位：<8mg/L（大于中国6级原则10mg/L） 硅含氧量：<5mg/L 水产品循环率：70%用以蒸发塔补充水分 危险废弃物回收利用：蒸发掉渣滓量较一般方法极大减少60%